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개의 가전자중에 개는 규소와 결합하 5 4 지만 남은 개의 전자는 1 과잉 전자로 남게 된다 형 반도체도 동일한 원리로 개의 (p 1 정공이 남게됨 ). 이렇게 남은 전자나 정공은 잘 결합된 다른 가전자에 비해 원자와의 결속력이 상대적으로 떨어진다 따라서 외부로부터 . 에너지가 유입될 때 다른 가전자에 비해 쉽게 에너지준위가 높아지며 반도체내 전도성을 향상시킨다 즉 전자와 . , 정공이 훌륭한 반송자역할을 하는 것이다 . 반도체의 전기 전도는 전기장에 의한 드리프트 전류 와 반송자의 (drift current) 밀도차이에 따른 확산전류 (diffusion 에 의해 이루어진다 current) . 그림 전기장에 의한 전도 < 4. > 그림 와 같이 4 드리프트 전류에 의한 전도는 반도체의 양단에 직류전압을 가 하면 정공은 음의 단자쪽으로 이동하고 , 전자는 양의 단자쪽으로 이동해 전기전 도가 이루어 진다 . 그림 의 5 확산전류에 의한 전도는 반 송자의 밀도가 장소에 따라 달라질 때에 는 밀도가 균일하게 되도록 반송자가 확 산이동되는 원리를 이용한 것이다 . 이와 같은 반도체내 전자와 정공의 이 동특성을 이용하여 열상장비의 검출기에 , 서도 적외선에너지를 전기신호로 전환시 그림 확산전류에 의한 전도 < 5. > 킬 수 있다 . 열상장비의 검출기는 빛 광입자 에너 ( ) 지에 민감하게 반응하는 반도체 소자가 적외선을 받게 되면 다음과 같이 반응한다 . 그림 과 같이 형의 검출기소자에 적 6 n 외선광이 유입되면 반도체 내부에 있던 과잉전자 는 빛 에너지를 받음으로써 (-) 에너지준위가 높아진다 . 이때 반도체의 전기 전도방식중 드리 프트 전류를 검출기소자에 주게되면 과 잉전자는 전기장의 극성으로 이동하게 (+) 되어 전기 전도가 이루어지면서 미세한 전기 신호가 발생되는 것이다 . 그림 검출기 소자의 전기 전도 < 6. > 이렇게 검출기에서 감지된 전기신호는 매우 미약하기 때문에 통상 수 ( V mV) μ ～ 영상재현에 필요한 전압크기로 증폭을 시켜 주고 신호잡음 을 줄 , (signal noise) 이기 위해 디지털신호로 바꾸어 주는 등 의 일련의 신호처리과정을 거쳐 영상으 로 재현된다 . 밀도기울기 확산 이동 반송자밀도 반도체 - + 검출기소자 형 (n ) 정공 (+) 전자 (-)